Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
ZXMC3F31DN8TA Альтернативные части: DMC3028LSDX-13 ,DMC3025LSD-13
ZXMC3F31DN8TADiodes Incorporated
В наличии: 20212
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
66.202088 ₽
66.21 ₽
10
62.454766 ₽
624.59 ₽
100
58.919670 ₽
5,892.03 ₽
500
55.584519 ₽
27,792.31 ₽
1000
52.438297 ₽
52,438.32 ₽
Цена за единицу: 66.202088 ₽
Итоговая цена: 66.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R | MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 23 Weeks | 17 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.8A 4.9A | 5.5A 5.8A | 6.5A 4.2A |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Время отключения | 30 ns | 60.5 ns | 28.4 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2008 | 2015 | 2012 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 1.8W | 1.2W | 1.2W |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 | 30 |
Число контактов | 8 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.1W | - | - |
Время задержки включения | 1.9 ns | 9.7 ns | 6.8 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 7A, 10V | 27m Ω @ 6A, 10V | 20m Ω @ 7.4A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 608pF @ 15V | 641pF @ 15V | 501pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12.9nC @ 10V | 13.2nC @ 10V | 9.8nC @ 10V |
Время подъема | 3ns | 17.1ns | 4.9ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Время падения (тип) | 21 ns | 40.4 ns | 12.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.9A | 5.8A | 4.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.7A | 5.5A | 5.3A |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | - | -30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Вес | - | 73.992255mg | 73.992255mg |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
Каналов количество | - | 2 | 2 |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V | - |
Высота | - | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | - | 4.95mm | 4.95mm |
Ширина | - | 3.95mm | 3.95mm |
Основной номер части | - | - | DMC3025 |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | Для сравнения |
| DMHC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO | Для сравнения |
 | IRF7421D1TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMC3028LSDX-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO | Для сравнения |