STGWA45HF60WDI Альтернативные части: STGW60V60DF ,FGH40N60SMDF

STGWA45HF60WDISTMicroelectronics

В наличии: 551

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
566.075824 ₽
566.07 ₽
10
534.033819 ₽
5,340.38 ₽
100
503.805467 ₽
50,380.49 ₽
500
475.288201 ₽
237,644.09 ₽
1000
448.385110 ₽
448,385.16 ₽

Цена за единицу: 566.075824 ₽

Итоговая цена: 566.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGWA45HF60WDI	иSTGW60V60DF	иFGH40N60SMDF
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	IGBT 600V 80A 375W TO247	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Вес	6.500007g	-	6.39g
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	-	1
Условия испытания	400V, 30A, 4.7 Ω, 15V	400V, 60A, 4.7 Ω, 15V	400V, 40A, 6 Ω, 15V
Время отключения	145 ns	-	92 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	-	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	-
Максимальная потеря мощности	310W	375W	349W
Основной номер части	STGW45	STGW60	FGH40N60
Число контактов	3	-	-
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	30 ns	-	12 ns
Мощность - Макс	310W	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	-	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	80A	80A	80A
Время обратной рекомпенсации	90 ns	74ns	90ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 30A	2.3V @ 15V, 60A	2.5V @ 15V, 40A
Зарядная мощность	160nC	334nC	119nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	150A	240A	120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	-/145ns	60ns/208ns	12ns/92ns
Переключаемый энергопотребление	330μJ (off)	750μJ (on), 550μJ (off)	1.3mJ (on), 260μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	-	6V
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	20 Weeks	4 Weeks
Количество контактов	-	3	3
Распад мощности	-	375W	349W
Тип ИGBT	-	Trench Field Stop	Field Stop
Высота	-	20.15mm	20.6mm
Длина	-	15.75mm	15.6mm
Ширина	-	5.15mm	4.7mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Покрытие контактов	-	-	Tin
Опубликовано	-	-	2013
Безоловая кодировка	-	-	yes
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Время подъёма макс	-	-	28ns
Сокетная связка	-	-	COLLECTOR
Код JEDEC-95	-	-	TO-247AB
Время включения	-	-	37 ns
Время выключения (toff)	-	-	132 ns
Время падения максимальное (tf)	-	-	17ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGH40N60SMDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins	Для сравнения
NGTB35N60FL2WG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
NGTB40N60L2WG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
STGW60V60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 80A 375W TO247	Для сравнения