STGWA45HF60WDI Альтернативные части: FGH40N60SMDF

STGWA45HF60WDISTMicroelectronics

В наличии: 551

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
566.075824 ₽
566.07 ₽
10
534.033819 ₽
5,340.38 ₽
100
503.805467 ₽
50,380.49 ₽
500
475.288201 ₽
237,644.09 ₽
1000
448.385110 ₽
448,385.16 ₽

Цена за единицу: 566.075824 ₽

Итоговая цена: 566.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGWA45HF60WDI	иFGH40N60SMDF
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3
Вес	6.500007g	6.39g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	400V, 30A, 4.7 Ω, 15V	400V, 40A, 6 Ω, 15V
Время отключения	145 ns	92 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Максимальная потеря мощности	310W	349W
Основной номер части	STGW45	FGH40N60
Число контактов	3	-
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	30 ns	12 ns
Мощность - Макс	310W	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V
Максимальный ток сбора	80A	80A
Время обратной рекомпенсации	90 ns	90ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 30A	2.5V @ 15V, 40A
Зарядная мощность	160nC	119nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	150A	120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	-/145ns	12ns/92ns
Переключаемый энергопотребление	330μJ (off)	1.3mJ (on), 260μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	6V
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	4 Weeks
Покрытие контактов	-	Tin
Количество контактов	-	3
Опубликовано	-	2013
Безоловая кодировка	-	yes
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95
Время подъёма макс	-	28ns
Распад мощности	-	349W
Сокетная связка	-	COLLECTOR
Код JEDEC-95	-	TO-247AB
Время включения	-	37 ns
Время выключения (toff)	-	132 ns
Тип ИGBT	-	Field Stop
Время падения максимальное (tf)	-	17ns
Высота	-	20.6mm
Длина	-	15.6mm
Ширина	-	4.7mm
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGH40N60SMDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins	Для сравнения
NGTB35N60FL2WG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
NGTB40N60L2WG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
STGW60V60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 80A 375W TO247	Для сравнения