Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGWA45HF60WDI Альтернативные части: STGW60V60DF
STGWA45HF60WDISTMicroelectronics
В наличии: 551
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
566.075824 ₽
566.07 ₽
10
534.033819 ₽
5,340.38 ₽
100
503.805467 ₽
50,380.49 ₽
500
475.288201 ₽
237,644.09 ₽
1000
448.385110 ₽
448,385.16 ₽
Цена за единицу: 566.075824 ₽
Итоговая цена: 566.07 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | IGBT 600V 80A 375W TO247 |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Вес | 6.500007g | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 400V, 30A, 4.7 Ω, 15V | 400V, 60A, 4.7 Ω, 15V |
Время отключения | 145 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 310W | 375W |
Основной номер части | STGW45 | STGW60 |
Число контактов | 3 | - |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard |
Время задержки включения | 30 ns | - |
Мощность - Макс | 310W | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 80A | 80A |
Время обратной рекомпенсации | 90 ns | 74ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A | 2.3V @ 15V, 60A |
Зарядная мощность | 160nC | 334nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 150A | 240A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | -/145ns | 60ns/208ns |
Переключаемый энергопотребление | 330μJ (off) | 750μJ (on), 550μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.75V | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 20 Weeks |
Количество контактов | - | 3 |
Распад мощности | - | 375W |
Тип ИGBT | - | Trench Field Stop |
Высота | - | 20.15mm |
Длина | - | 15.75mm |
Ширина | - | 5.15mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH40N60SMDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | Для сравнения |
 | NGTB35N60FL2WG | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |
 | STGW60V60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 375W TO247 | Для сравнения |