STGWA45HF60WDI Альтернативные части: FGH40N60SMDF ,NGTB35N60FL2WG

STGWA45HF60WDISTMicroelectronics

В наличии: 551

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
566.075824 ₽
566.07 ₽
10
534.033819 ₽
5,340.38 ₽
100
503.805467 ₽
50,380.49 ₽
500
475.288201 ₽
237,644.09 ₽
1000
448.385110 ₽
448,385.16 ₽

Цена за единицу: 566.075824 ₽

Итоговая цена: 566.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGWA45HF60WDI	иFGH40N60SMDF	иNGTB35N60FL2WG
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins	ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Вес	6.500007g	6.39g	38.000013g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	-
Условия испытания	400V, 30A, 4.7 Ω, 15V	400V, 40A, 6 Ω, 15V	400V, 35A, 10 Ω, 15V
Время отключения	145 ns	92 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Код JESD-609	e3	e3	-
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	-
Максимальная потеря мощности	310W	349W	300W
Основной номер части	STGW45	FGH40N60	-
Число контактов	3	-	-
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	30 ns	12 ns	-
Мощность - Макс	310W	-	300W
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	80A	80A	70A
Время обратной рекомпенсации	90 ns	90ns	68 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 30A	2.5V @ 15V, 40A	2V @ 15V, 35A
Зарядная мощность	160nC	119nC	125nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	150A	120A	120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	-/145ns	12ns/92ns	72ns/132ns
Переключаемый энергопотребление	330μJ (off)	1.3mJ (on), 260μJ (off)	840μJ (on), 280μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	6V	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	4 Weeks	8 Weeks
Покрытие контактов	-	Tin	-
Количество контактов	-	3	3
Опубликовано	-	2013	2014
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95	-
Время подъёма макс	-	28ns	-
Распад мощности	-	349W	-
Сокетная связка	-	COLLECTOR	-
Код JEDEC-95	-	TO-247AB	-
Время включения	-	37 ns	-
Время выключения (toff)	-	132 ns	-
Тип ИGBT	-	Field Stop	Trench Field Stop
Время падения максимальное (tf)	-	17ns	-
Высота	-	20.6mm	21.08mm
Длина	-	15.6mm	16.26mm
Ширина	-	4.7mm	5.3mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGH40N60SMDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins	Для сравнения
NGTB35N60FL2WG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
NGTB40N60L2WG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
STGW60V60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 80A 375W TO247	Для сравнения