STGW30NC60VD Альтернативные части: IRGP50B60PD1PBF ,IRG4PC50FPBF

STGW30NC60VDSTMicroelectronics

В наличии: 42

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
425.036593 ₽
425.00 ₽
10
400.977885 ₽
4,009.75 ₽
100
378.281030 ₽
37,828.16 ₽
500
356.868874 ₽
178,434.48 ₽
1000
336.668805 ₽
336,668.82 ₽

Цена за единицу: 425.036593 ₽

Итоговая цена: 425.00 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW30NC60VD	иIRGP50B60PD1PBF	иIRG4PC50FPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	IGBT 600V 75A 390W TO247AC	IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-	-
Срок поставки от производителя	8 Weeks	14 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	390V, 20A, 3.3 Ω, 15V	390V, 33A, 3.3 Ω, 15V	480V, 39A, 5 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Bulk
Серия	PowerMESH™	-	-
Состояние изделия	Active	Last Time Buy	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	250W	390W	200W
Основной номер части	STGW30	-	-
Число контактов	3	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	250W	390W	200W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	-
Время подъема	11ns	10ns	25ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.85V	1.6V
Максимальный ток сбора	80A	75A	70A
Время обратной рекомпенсации	44ns	42 ns	-
Время включения	42.5 ns	39 ns	52 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 20A	2.85V @ 15V, 50A	1.6V @ 15V, 39A
Время выключения (toff)	280 ns	161 ns	620 ns
Зарядная мощность	100nC	205nC	190nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	150A	150A	280A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	31ns/100ns	30ns/130ns	31ns/240ns
Переключаемый энергопотребление	220μJ (on), 330μJ (off)	255μJ (on), 375μJ (off)	370μJ (on), 2.1mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	5V	6V
Высота	21.07mm	20.7mm	20.7mm
Длина	16.02mm	15.87mm	15.87mm
Ширина	5.15mm	5.3086mm	5.3086mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	38.000013g	-
Время отключения	-	130 ns	240 ns
Опубликовано	-	2004	2000
Завершение	-	Through Hole	Through Hole
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V	600V
Моментальный ток	-	75A	70A
Сокетная связка	-	COLLECTOR	COLLECTOR
Время задержки включения	-	30 ns	31 ns
Код JEDEC-95	-	TO-247AC	TO-247AC
Тип ИGBT	-	NPT	-
Время падения максимальное (tf)	-	20ns	190ns
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRG4PC50FPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
FGH40T65SPD-F155	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 650V 80A 267W TO-247	Для сравнения
IRGP50B60PD1PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 75A 390W TO247AC	Для сравнения