Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW30NC60VD Альтернативные части: FGH40T65SPD-F155
STGW30NC60VDSTMicroelectronics
В наличии: 42
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
425.036593 ₽
425.00 ₽
10
400.977885 ₽
4,009.75 ₽
100
378.281030 ₽
37,828.16 ₽
500
356.868874 ₽
178,434.48 ₽
1000
336.668805 ₽
336,668.82 ₽
Цена за единицу: 425.036593 ₽
Итоговая цена: 425.00 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | IGBT 650V 80A 267W TO-247 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 650V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 390V, 20A, 3.3 Ω, 15V | 400V, 40A, 6 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | PowerMESH™ | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Максимальная потеря мощности | 250W | 267W |
Основной номер части | STGW30 | - |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 250W | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - |
Время подъема | 11ns | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 650V |
Максимальный ток сбора | 80A | 80A |
Время обратной рекомпенсации | 44ns | 34 ns |
Время включения | 42.5 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A | 2.4V @ 15V, 40A |
Время выключения (toff) | 280 ns | - |
Зарядная мощность | 100nC | 35nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 150A | 120A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 31ns/100ns | 16ns/37ns |
Переключаемый энергопотребление | 220μJ (on), 330μJ (off) | 1.16mJ (on), 280μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.75V | 7.5V |
Высота | 21.07mm | - |
Длина | 16.02mm | - |
Ширина | 5.15mm | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Вес | - | 6.39g |
Опубликовано | - | 2015 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Мощность - Макс | - | 267W |
Тип ИGBT | - | Trench Field Stop |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4PC50FPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AC | Для сравнения |
 | FGH40T65SPD-F155 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 267W TO-247 | Для сравнения |
| IRGP50B60PD1PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 75A 390W TO247AC | Для сравнения |