STGW30NC60VD Альтернативные части: IRGP50B60PD1PBF

STGW30NC60VDSTMicroelectronics

В наличии: 42

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
425.036593 ₽
425.00 ₽
10
400.977885 ₽
4,009.75 ₽
100
378.281030 ₽
37,828.16 ₽
500
356.868874 ₽
178,434.48 ₽
1000
336.668805 ₽
336,668.82 ₽

Цена за единицу: 425.036593 ₽

Итоговая цена: 425.00 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW30NC60VD	иIRGP50B60PD1PBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	IGBT 600V 75A 390W TO247AC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-
Срок поставки от производителя	8 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	390V, 20A, 3.3 Ω, 15V	390V, 33A, 3.3 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Серия	PowerMESH™	-
Состояние изделия	Active	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	250W	390W
Основной номер части	STGW30	-
Число контактов	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	250W	390W
Входной тип	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Время подъема	11ns	10ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.85V
Максимальный ток сбора	80A	75A
Время обратной рекомпенсации	44ns	42 ns
Время включения	42.5 ns	39 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 20A	2.85V @ 15V, 50A
Время выключения (toff)	280 ns	161 ns
Зарядная мощность	100nC	205nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	150A	150A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	31ns/100ns	30ns/130ns
Переключаемый энергопотребление	220μJ (on), 330μJ (off)	255μJ (on), 375μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	5V
Высота	21.07mm	20.7mm
Длина	16.02mm	15.87mm
Ширина	5.15mm	5.3086mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	38.000013g
Время отключения	-	130 ns
Опубликовано	-	2004
Завершение	-	Through Hole
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V
Моментальный ток	-	75A
Сокетная связка	-	COLLECTOR
Время задержки включения	-	30 ns
Код JEDEC-95	-	TO-247AC
Тип ИGBT	-	NPT
Время падения максимальное (tf)	-	20ns
REACH SVHC	-	No SVHC
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRG4PC50FPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
FGH40T65SPD-F155	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 650V 80A 267W TO-247	Для сравнения
IRGP50B60PD1PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 75A 390W TO247AC	Для сравнения