STGF19NC60KD Альтернативные части: FGPF10N60UNDF ,IRG4IBC20FDPBF

STGF19NC60KDSTMicroelectronics

В наличии: 10400

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
91.067308 ₽
91.07 ₽
10
85.912555 ₽
859.07 ₽
100
81.049574 ₽
8,104.95 ₽
500
76.461868 ₽
38,230.91 ₽
1000
72.133832 ₽
72,133.79 ₽

Цена за единицу: 91.067308 ₽

Итоговая цена: 91.07 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGF19NC60KD	иFGPF10N60UNDF	иIRG4IBC20FDPBF
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 16A 32W TO220FP	IGBT Transistors 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT	IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
Срок поставки от производителя	8 Weeks	5 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	480V, 12A, 10 Ω, 15V	400V, 10A, 10 Ω, 15V	480V, 9A, 50 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Серия	PowerMESH™	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	32W	42W	34W
Основной номер части	STGF19	-	-
Число контактов	3	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	32W	-	34W
Сокетная связка	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	MOTOR CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	2V
Максимальный ток сбора	16A	20A	14.3A
Время обратной рекомпенсации	31 ns	37.7 ns	37 ns
Код JEDEC-95	TO-220AB	TO-220AB	TO-220AB
Время включения	38 ns	15.4 ns	63 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.75V @ 15V, 12A	2.45V @ 15V, 10A	2V @ 15V, 9A
Время выключения (toff)	270 ns	89.3 ns	610 ns
Зарядная мощность	55nC	37nC	27nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	75A	30A	64A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	30ns/105ns	8ns/52.2ns	43ns/240ns
Переключаемый энергопотребление	165μJ (on), 255μJ (off)	150μJ (on), 50μJ (off)	250μJ (on), 640μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	6.5V	8.5V	6V
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)	-
Вес	-	2.27g	-
Опубликовано	-	2013	2000
Код JESD-609	-	e3	-
Безоловая кодировка	-	yes	-
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)	-
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95	-
Мощность - Макс	-	42W	-
Тип ИGBT	-	NPT	-
Время падения максимальное (tf)	-	24.8ns	-
Высота	-	16.07mm	16.129mm
Длина	-	10.36mm	10.7442mm
Ширина	-	4.9mm	4.826mm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	600V
Моментальный ток	-	-	14.3A
Время подъема	-	-	20ns
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGPF10N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT Transistors 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
IRG4IBC20FDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP	Для сравнения
IRG4IBC20UDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP	Для сравнения
IRG4BC10SDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 14A 38W TO220AB	Для сравнения