Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGF19NC60KD Альтернативные части: IRG4BC10SDPBF
STGF19NC60KDSTMicroelectronics
В наличии: 10400
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
91.067308 ₽
91.07 ₽
10
85.912555 ₽
859.07 ₽
100
81.049574 ₽
8,104.95 ₽
500
76.461868 ₽
38,230.91 ₽
1000
72.133832 ₽
72,133.79 ₽
Цена за единицу: 91.067308 ₽
Итоговая цена: 91.07 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 16A 32W TO220FP | IGBT 600V 14A 38W TO220AB |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | - |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 480V, 12A, 10 Ω, 15V | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | PowerMESH™ | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Максимальная потеря мощности | 32W | 38W |
Основной номер части | STGF19 | - |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 32W | 38W |
Сокетная связка | ISOLATED | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 1.8V |
Максимальный ток сбора | 16A | 14A |
Время обратной рекомпенсации | 31 ns | 28 ns |
Код JEDEC-95 | TO-220AB | - |
Время включения | 38 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 12A | 1.8V @ 15V, 8A |
Время выключения (toff) | 270 ns | - |
Зарядная мощность | 55nC | 15nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 75A | 18A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 30ns/105ns | 76ns/815ns |
Переключаемый энергопотребление | 165μJ (on), 255μJ (off) | 310μJ (on), 3.28mJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 6.5V | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Поставщик упаковки устройства | - | TO-220AB |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 14A |
Опубликовано | - | 2007 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 600V |
Моментальный ток | - | 14A |
Мощность - Макс | - | 38W |
Время подъема | - | 32ns |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 600V |
Высота | - | 8.77mm |
Длина | - | 10.54mm |
Ширина | - | 4.69mm |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGPF10N60UNDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT Transistors 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT | Для сравнения |
 | IRG4IBC20FDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP | Для сравнения |
| IRG4IBC20UDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP | Для сравнения |
 | IRG4BC10SDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 14A 38W TO220AB | Для сравнения |