Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGF19NC60KD Альтернативные части: IRG4IBC20UDPBF
STGF19NC60KDSTMicroelectronics
В наличии: 10400
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
91.067308 ₽
91.07 ₽
10
85.912555 ₽
859.07 ₽
100
81.049574 ₽
8,104.95 ₽
500
76.461868 ₽
38,230.91 ₽
1000
72.133832 ₽
72,133.79 ₽
Цена за единицу: 91.067308 ₽
Итоговая цена: 91.07 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 16A 32W TO220FP | IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 16 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 480V, 12A, 10 Ω, 15V | 480V, 6.5A, 50 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | PowerMESH™ | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 32W | 34W |
Основной номер части | STGF19 | - |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 32W | 34W |
Сокетная связка | ISOLATED | ISOLATED |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 2.1V |
Максимальный ток сбора | 16A | 11.4A |
Время обратной рекомпенсации | 31 ns | 37 ns |
Код JEDEC-95 | TO-220AB | TO-220AB |
Время включения | 38 ns | 55 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 12A | 2.1V @ 15V, 6.5A |
Время выключения (toff) | 270 ns | 320 ns |
Зарядная мощность | 55nC | 27nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 75A | 52A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 30ns/105ns | 39ns/93ns |
Переключаемый энергопотребление | 165μJ (on), 255μJ (off) | 160μJ (on), 130μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 6.5V | 6V |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Вес | - | 2.299997g |
Опубликовано | - | 2003 |
Завершение | - | Through Hole |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 600V |
Моментальный ток | - | 11.4A |
Время подъема | - | 17ns |
Время падения максимальное (tf) | - | 170ns |
Высота | - | 16.129mm |
Длина | - | 10.7442mm |
Ширина | - | 4.826mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGPF10N60UNDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT Transistors 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT | Для сравнения |
 | IRG4IBC20FDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP | Для сравнения |
| IRG4IBC20UDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP | Для сравнения |
 | IRG4BC10SDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 14A 38W TO220AB | Для сравнения |