Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGD3NB60FT4 Альтернативные части: SGR6N60UFTM
STGD3NB60FT4STMicroelectronics
В наличии: 1946
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
118.012418 ₽
117.99 ₽
10
111.332431 ₽
1,113.32 ₽
100
105.030673 ₽
10,503.02 ₽
500
99.085522 ₽
49,542.72 ₽
1000
93.476868 ₽
93,476.92 ₽
Цена за единицу: 118.012418 ₽
Итоговая цена: 117.99 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 6A 60W DPAK | IGBT 600V 6A 30W DPAK |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 480V, 3A, 10 Ω, 15V | 300V, 3A, 80 Ω, 15V |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerMESH™ | - |
Код JESD-609 | e0 | - |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - |
Конечная обработка контакта | TIN LEAD | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | 600V |
Максимальная потеря мощности | 60W | 30W |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Моментальный ток | 3A | 3A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGD3 | SG*6N60 |
Число контактов | 3 | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 60W | 30W |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | MOTOR CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2.4V | 600V |
Максимальный ток сбора | 6A | 6A |
Время обратной рекомпенсации | 45ns | - |
Код JEDEC-95 | TO-252AA | - |
Максимальное напряжение разрушения | 600V | - |
Время включения | 16.5 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 3A | 2.6V @ 15V, 3A |
Время выключения (toff) | 535 ns | - |
Зарядная мощность | 16nC | 15nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 24A | 25A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 12.5ns/105ns | 15ns/60ns |
Переключаемый энергопотребление | 125μJ (off) | 57μJ (on), 25μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5V | - |
Состояние RoHS | Non-RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Вес | - | 260.37mg |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGR3B60KD2TRP | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK | Для сравнения |
| FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | Для сравнения |
| HGTD3N60C3S9A | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | Для сравнения |
| SGR6N60UFTM | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | Для сравнения |