STGD3NB60FT4 Альтернативные части: IRGR3B60KD2TRP

STGD3NB60FT4STMicroelectronics

В наличии: 1946

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
118.012418 ₽
117.99 ₽
10
111.332431 ₽
1,113.32 ₽
100
105.030673 ₽
10,503.02 ₽
500
99.085522 ₽
49,542.72 ₽
1000
93.476868 ₽
93,476.92 ₽

Цена за единицу: 118.012418 ₽

Итоговая цена: 117.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGD3NB60FT4	иIRGR3B60KD2TRP
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 6A 60W DPAK	IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	480V, 3A, 10 Ω, 15V	400V, 3A, 100 Ω, 15V
Рабочая температура	150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerMESH™	-
Код JESD-609	e0	e3
Состояние изделия	Obsolete	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Конечная обработка контакта	TIN LEAD	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	-
Максимальная потеря мощности	60W	52W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260
Моментальный ток	3A	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	30
Основной номер части	STGD3	IRGR3B60KD2PBF
Число контактов	3	-
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	60W	52W
Входной тип	Standard	Standard
Применение транзистора	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2.4V	2.4V
Максимальный ток сбора	6A	7.8A
Время обратной рекомпенсации	45ns	77 ns
Код JEDEC-95	TO-252AA	TO-252AA
Максимальное напряжение разрушения	600V	600V
Время включения	16.5 ns	35 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 3A	2.4V @ 15V, 3A
Время выключения (toff)	535 ns	211 ns
Зарядная мощность	16nC	13nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	24A	15.6A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	12.5ns/105ns	18ns/110ns
Переключаемый энергопотребление	125μJ (off)	62μJ (on), 39μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5V	5.5V
Состояние RoHS	Non-RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	13 Weeks
Опубликовано	-	2003
Время подъёма макс	-	22ns
Тип ИGBT	-	NPT
Время падения максимальное (tf)	-	105ns
Корпусировка на излучение	-	No
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRGR3B60KD2TRP	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 7.8A 52W DPAK	Для сравнения
FGD3N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
HGTD3N60C3S9A	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 33W TO252AA	Для сравнения
SGR6N60UFTM	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения