Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGD3NB60FT4 Альтернативные части: FGD3N60UNDF
STGD3NB60FT4STMicroelectronics
В наличии: 1946
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
118.012418 ₽
117.99 ₽
10
111.332431 ₽
1,113.32 ₽
100
105.030673 ₽
10,503.02 ₽
500
99.085522 ₽
49,542.72 ₽
1000
93.476868 ₽
93,476.92 ₽
Цена за единицу: 118.012418 ₽
Итоговая цена: 117.99 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 6A 60W DPAK | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 480V, 3A, 10 Ω, 15V | 400V, 3A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Серия | PowerMESH™ | - |
Код JESD-609 | e0 | e3 |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Конечная обработка контакта | TIN LEAD | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | - |
Максимальная потеря мощности | 60W | 60W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Моментальный ток | 3A | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGD3 | FGD3N60 |
Число контактов | 3 | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 60W | 60W |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | MOTOR CONTROL | MOTOR CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2.4V | 600V |
Максимальный ток сбора | 6A | 6A |
Время обратной рекомпенсации | 45ns | 21ns |
Код JEDEC-95 | TO-252AA | - |
Максимальное напряжение разрушения | 600V | 600V |
Время включения | 16.5 ns | 7.4 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 3A | 2.52V @ 15V, 3A |
Время выключения (toff) | 535 ns | 146 ns |
Зарядная мощность | 16nC | 1.6nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 24A | 9A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 12.5ns/105ns | 5.5ns/22ns |
Переключаемый энергопотребление | 125μJ (off) | 52μJ (on), 30μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5V | 8.5V |
Состояние RoHS | Non-RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Срок поставки от производителя | - | 7 Weeks |
Вес | - | 260.37mg |
Опубликовано | - | 2013 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Код ECCN | - | EAR99 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.95 |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Тип ИGBT | - | NPT |
Высота | - | 2.3mm |
Длина | - | 6.6mm |
Ширина | - | 6.1mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGR3B60KD2TRP | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK | Для сравнения |
| FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | Для сравнения |
| HGTD3N60C3S9A | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | Для сравнения |
| SGR6N60UFTM | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | Для сравнения |