Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGB30M65DF2 Альтернативные части: STGB30H60DF ,IGB30N60H3ATMA1
STGB30M65DF2STMicroelectronics
В наличии: 1121
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
342.523846 ₽
342.58 ₽
10
323.135755 ₽
3,231.32 ₽
100
304.844973 ₽
30,484.48 ₽
500
287.589643 ₽
143,794.78 ₽
1000
271.310934 ₽
271,310.99 ₽
Цена за единицу: 342.523846 ₽
Итоговая цена: 342.58 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 650V 30A D2PAK | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 30 Weeks | - | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Количество контактов | 3 | 3 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 600V | - |
Условия испытания | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 400V, 30A, 10.5 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 258W | 260W | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | STGB30 | STGB30 | GB30N60 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 258W | 260W | 187W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2V | 2.4V | - |
Максимальный ток сбора | 60A | 60A | - |
Время обратной рекомпенсации | 140 ns | 110 ns | - |
Максимальное напряжение разрушения | 650V | 600V | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A | 2.4V @ 15V, 30A | 2.4V @ 15V, 30A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 80nC | 105nC | 165nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | 120A | 120A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 31.6ns/115ns | 50ns/160ns | 18ns/207ns |
Переключаемый энергопотребление | 300μJ (on), 960μJ (off) | 350μJ (on), 400μJ (off) | 1.17mJ |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | - |
Поверхностный монтаж | - | - | YES |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | - | 60A |
Количество элементов | - | - | 1 |
Серия | - | - | TrenchStop® |
Опубликовано | - | - | 2005 |
Код JESD-609 | - | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | - | no |
Количество выводов | - | - | 2 |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin (Sn) |
Положение терминала | - | - | SINGLE |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Число контактов | - | - | 4 |
Код JESD-30 | - | - | R-PSSO-G2 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | SINGLE |
Сокетная связка | - | - | COLLECTOR |
Применение транзистора | - | - | POWER CONTROL |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | - | 600V |
Время включения | - | - | 40 ns |
Время выключения (toff) | - | - | 262 ns |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGB30H60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Для сравнения |
 | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | Для сравнения |
| IRGS4630DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | Для сравнения |
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Для сравнения |