STGB30M65DF2 Альтернативные части: STGB30V60DF

STGB30M65DF2STMicroelectronics

В наличии: 1121

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
342.523846 ₽
342.58 ₽
10
323.135755 ₽
3,231.32 ₽
100
304.844973 ₽
30,484.48 ₽
500
287.589643 ₽
143,794.78 ₽
1000
271.310934 ₽
271,310.99 ₽

Цена за единицу: 342.523846 ₽

Итоговая цена: 342.58 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGB30M65DF2	иSTGB30V60DF
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 650V 30A D2PAK	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	-
Срок поставки от производителя	30 Weeks	20 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов	3	-
Диэлектрический пробой напряжение	650V	600V
Условия испытания	400V, 30A, 10 Ω, 15V	400V, 30A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	258W	258W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Основной номер части	STGB30	STGB30
Конфигурация элемента	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard
Мощность - Макс	258W	258W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2V	600V
Максимальный ток сбора	60A	60A
Время обратной рекомпенсации	140 ns	53 ns
Максимальное напряжение разрушения	650V	600V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 30A	2.3V @ 15V, 30A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Зарядная мощность	80nC	163nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	120A	120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	31.6ns/115ns	45ns/189ns
Переключаемый энергопотребление	300μJ (on), 960μJ (off)	383μJ (on), 233μJ (off)
REACH SVHC	No SVHC	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	2.240009g
Материал элемента транзистора	-	SILICON
Количество элементов	-	1
Количество выводов	-	2
Форма вывода	-	GULL WING
Код JESD-30	-	R-PSSO-G2
Сокетная связка	-	COLLECTOR
Применение транзистора	-	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL
Время включения	-	59 ns
Время выключения (toff)	-	225 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGB30H60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Для сравнения
IGB30N60H3ATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263	Для сравнения
IRGS4630DPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 47A 206W D2PAK	Для сравнения
STGB30V60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Для сравнения