Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGB30M65DF2 Альтернативные части: IRGS4630DPBF
STGB30M65DF2STMicroelectronics
В наличии: 1121
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
342.523846 ₽
342.58 ₽
10
323.135755 ₽
3,231.32 ₽
100
304.844973 ₽
30,484.48 ₽
500
287.589643 ₽
143,794.78 ₽
1000
271.310934 ₽
271,310.99 ₽
Цена за единицу: 342.523846 ₽
Итоговая цена: 342.58 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 650V 30A D2PAK | IGBT 600V 47A 206W D2PAK |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - |
Срок поставки от производителя | 30 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 600V |
Условия испытания | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 400V, 18A, 22 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tube |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 258W | 206W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGB30 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 258W | 206W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2V | 1.95V |
Максимальный ток сбора | 60A | 47A |
Время обратной рекомпенсации | 140 ns | 100 ns |
Максимальное напряжение разрушения | 650V | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A | 1.95V @ 15V, 18A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - |
Зарядная мощность | 80nC | 35nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | 54A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 31.6ns/115ns | 40ns/105ns |
Переключаемый энергопотребление | 300μJ (on), 960μJ (off) | 95μJ (on), 350μJ (off) |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Опубликовано | - | 2011 |
Код соответствия REACH | - | unknown |
Высота | - | 4.83mm |
Длина | - | 10.67mm |
Ширина | - | 9.65mm |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGB30H60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Для сравнения |
 | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | Для сравнения |
| IRGS4630DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | Для сравнения |
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Для сравнения |