STGB30M65DF2STMicroelectronics
В наличии: 1121
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
342.523846 ₽
342.58 ₽
10
323.135755 ₽
3,231.32 ₽
100
304.844973 ₽
30,484.48 ₽
500
287.589643 ₽
143,794.78 ₽
1000
271.310934 ₽
271,310.99 ₽
Цена за единицу: 342.523846 ₽
Итоговая цена: 342.58 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 650V 30A D2PAK | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 30 Weeks | 6 Weeks | 20 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Количество контактов | 3 | 3 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 600V | 600V |
Условия испытания | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 400V, 18A, 22 Ω, 15V | 400V, 30A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tube | Cut Tape (CT) |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 258W | 206W | 258W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | STGB30 | - | STGB30 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 258W | 206W | 258W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2V | 1.95V | 600V |
Максимальный ток сбора | 60A | 47A | 60A |
Время обратной рекомпенсации | 140 ns | 100 ns | 53 ns |
Максимальное напряжение разрушения | 650V | - | 600V |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A | 1.95V @ 15V, 18A | 2.3V @ 15V, 30A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 80nC | 35nC | 163nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | 54A | 120A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 31.6ns/115ns | 40ns/105ns | 45ns/189ns |
Переключаемый энергопотребление | 300μJ (on), 960μJ (off) | 95μJ (on), 350μJ (off) | 383μJ (on), 233μJ (off) |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Опубликовано | - | 2011 | - |
Код соответствия REACH | - | unknown | - |
Высота | - | 4.83mm | - |
Длина | - | 10.67mm | - |
Ширина | - | 9.65mm | - |
Вес | - | - | 2.240009g |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Количество элементов | - | - | 1 |
Количество выводов | - | - | 2 |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Код JESD-30 | - | - | R-PSSO-G2 |
Сокетная связка | - | - | COLLECTOR |
Применение транзистора | - | - | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | - | - | N-CHANNEL |
Время включения | - | - | 59 ns |
Время выключения (toff) | - | - | 225 ns |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | - | 20V |