Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGB30M65DF2 Альтернативные части: IGB30N60H3ATMA1 ,IRGS4630DPBF
STGB30M65DF2STMicroelectronics
В наличии: 1121
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
342.523846 ₽
342.58 ₽
10
323.135755 ₽
3,231.32 ₽
100
304.844973 ₽
30,484.48 ₽
500
287.589643 ₽
143,794.78 ₽
1000
271.310934 ₽
271,310.99 ₽
Цена за единицу: 342.523846 ₽
Итоговая цена: 342.58 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 650V 30A D2PAK | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | IGBT 600V 47A 206W D2PAK |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 30 Weeks | 16 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | - | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Количество контактов | 3 | - | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | - | 600V |
Условия испытания | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 400V, 30A, 10.5 Ω, 15V | 400V, 18A, 22 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tube |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 258W | - | 206W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGB30 | GB30N60 | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 258W | 187W | 206W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2V | - | 1.95V |
Максимальный ток сбора | 60A | - | 47A |
Время обратной рекомпенсации | 140 ns | - | 100 ns |
Максимальное напряжение разрушения | 650V | - | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A | 2.4V @ 15V, 30A | 1.95V @ 15V, 18A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | - |
Зарядная мощность | 80nC | 165nC | 35nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | 120A | 54A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 31.6ns/115ns | 18ns/207ns | 40ns/105ns |
Переключаемый энергопотребление | 300μJ (on), 960μJ (off) | 1.17mJ | 95μJ (on), 350μJ (off) |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Поверхностный монтаж | - | YES | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 60A | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Серия | - | TrenchStop® | - |
Опубликовано | - | 2005 | 2011 |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | no | - |
Количество выводов | - | 2 | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Положение терминала | - | SINGLE | - |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | unknown |
Число контактов | - | 4 | - |
Код JESD-30 | - | R-PSSO-G2 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Конфигурация | - | SINGLE | - |
Сокетная связка | - | COLLECTOR | - |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 600V | - |
Время включения | - | 40 ns | - |
Время выключения (toff) | - | 262 ns | - |
Высота | - | - | 4.83mm |
Длина | - | - | 10.67mm |
Ширина | - | - | 9.65mm |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGB30H60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Для сравнения |
 | IGB30N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | Для сравнения |
| IRGS4630DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 47A 206W D2PAK | Для сравнения |
| STGB30V60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Для сравнения |