SIRA18DP-T1-GE3 Альтернативные части: SI4174DY-T1-GE3 ,IRF7821TRPBF

SIRA18DP-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 31

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSIRA18DP-T1-GE3	иSI4174DY-T1-GE3	иIRF7821TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	14 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	PowerPAK® SO-8	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	33A Tc	17A Tc	13.6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	3.3W Ta 14.7W Tc	2.5W Ta 5W Tc	2.5W Ta
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~155°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®	HEXFET®
Опубликовано	2011	2013	2007
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	240	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	30
Код JESD-30	R-PDSO-F5	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	3.3W	2.5W	2.5W
Сокетная связка	DRAIN	-	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	7.5m Ω @ 10A, 10V	9.5m Ω @ 10A, 10V	9.1m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250μA	2.2V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1000pF @ 15V	985pF @ 15V	1010pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	21.5nC @ 10V	27nC @ 10V	14nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	-
Угол настройки (макс.)	+20V, -16V	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	33A	17A	13.6A
Пороговое напряжение	1.2V	1V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.0075Ohm	-	-
Максимальный импульсный ток вывода	70A	-	-
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-	-
REACH SVHC	Unknown	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	186.993455mg	-
Время отключения	-	19 ns	9.7 ns
Код JESD-609	-	e3	e3
Сопротивление	-	9.5MOhm	9.1MOhm
Число контактов	-	8	-
Каналов количество	-	1	1
Время задержки включения	-	14 ns	6.3 ns
Время подъема	-	12ns	2.7ns
Время падения (тип)	-	9 ns	7.3 ns
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	30V
Высота	-	1.5mm	1.75mm
Длина	-	5mm	4.9784mm
Ширина	-	4mm	3.9878mm
Без свинца	-	Lead Free	Contains Lead, Lead Free
Завершение	-	-	SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	30V
Моментальный ток	-	-	13.6A
Интервал строк	-	-	6.3 mm
Конфигурация элемента	-	-	Single
Двухпитание напряжения	-	-	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	-	44 mJ
Время восстановления	-	-	42 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	-	155°C
Номинальное Vgs	-	-	1 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8896	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
SI4174DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7821TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC	Для сравнения