SIRA18DP-T1-GE3 Альтернативные части: IRF7821TRPBF

SIRA18DP-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 31

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽

Цена за единицу: 59.485934 ₽

Итоговая цена: 59.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSIRA18DP-T1-GE3	иIRF7821TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	PowerPAK® SO-8	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	33A Tc	13.6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	3.3W Ta 14.7W Tc	2.5W Ta
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~155°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	HEXFET®
Опубликовано	2011	2007
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	240	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	30
Код JESD-30	R-PDSO-F5	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	3.3W	2.5W
Сокетная связка	DRAIN	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	7.5m Ω @ 10A, 10V	9.1m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1000pF @ 15V	1010pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	21.5nC @ 10V	14nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-
Угол настройки (макс.)	+20V, -16V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	33A	13.6A
Пороговое напряжение	1.2V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.0075Ohm	-
Максимальный импульсный ток вывода	70A	-
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-
REACH SVHC	Unknown	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Время отключения	-	9.7 ns
Код JESD-609	-	e3
Завершение	-	SMD/SMT
Сопротивление	-	9.1MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Моментальный ток	-	13.6A
Интервал строк	-	6.3 mm
Каналов количество	-	1
Конфигурация элемента	-	Single
Время задержки включения	-	6.3 ns
Время подъема	-	2.7ns
Время падения (тип)	-	7.3 ns
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V
Двухпитание напряжения	-	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	44 mJ
Время восстановления	-	42 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	155°C
Номинальное Vgs	-	1 V
Высота	-	1.75mm
Длина	-	4.9784mm
Ширина	-	3.9878mm
Без свинца	-	Contains Lead, Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8896	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
SI4174DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7821TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC	Для сравнения