Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SIRA18DP-T1-GE3 Альтернативные части: FDS8896
SIRA18DP-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 31
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
59.485934 ₽
59.48 ₽
10
56.118832 ₽
561.13 ₽
100
52.942294 ₽
5,294.23 ₽
500
49.945536 ₽
24,972.80 ₽
1000
47.118420 ₽
47,118.41 ₽
Цена за единицу: 59.485934 ₽
Итоговая цена: 59.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 18 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerPAK® SO-8 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 33A Tc | 15A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3.3W Ta 14.7W Tc | 2.5W Ta |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2011 | 2001 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 240 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-F5 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 3.3W | 2.5W |
Сокетная связка | DRAIN | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 7.5m Ω @ 10A, 10V | 6m Ω @ 15A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1000pF @ 15V | 2525pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 21.5nC @ 10V | 67nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | +20V, -16V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 33A | 15A |
Пороговое напряжение | 1.2V | 1.2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.0075Ohm | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 70A | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - |
REACH SVHC | Unknown | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Вес | - | 130mg |
Время отключения | - | 60 ns |
Код JESD-609 | - | e4 |
Сопротивление | - | 6MOhm |
Конечная обработка контакта | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V |
Моментальный ток | - | 15A |
Конфигурация элемента | - | Single |
Время задержки включения | - | 8 ns |
Время подъема | - | 37ns |
Время падения (тип) | - | 24 ns |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V |
Высота | - | 1.5mm |
Длина | - | 5mm |
Ширина | - | 4mm |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8896 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | SI4174DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | Для сравнения |
 | IRF7821TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC | Для сравнения |