Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4485DY-T1-GE3 Альтернативные части: FDS4935A ,BSO220N03MSGXUMA1
SI4485DY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 3936
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽
Цена за единицу: 94.985604 ₽
Итоговая цена: 94.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC | ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 10 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 506.605978mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6A Tc | - | 7A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.4W Ta 5W Tc | - | 1.56W Ta |
Время отключения | 18 ns | 48 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | PowerTrench® | OptiMOS™ |
Опубликовано | 2013 | 2002 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 42mOhm | 23MOhm | - |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | NOT SPECIFIED |
Число контактов | 8 | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Dual | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.4W | 1.6W | 1.56W |
Время задержки включения | 8 ns | 13 ns | - |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 42m Ω @ 5.9A, 10V | 23m Ω @ 7A, 10V | 22m Ω @ 8.6A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 590pF @ 15V | 1233pF @ 15V | 800pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 21nC @ 10V | 21nC @ 5V | 10.4nC @ 10V |
Время подъема | 10ns | 10ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | ±20V |
Время падения (тип) | 8 ns | 25 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.9A | 7A | 7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | -30V | - |
Номинальное Vgs | -1.2 V | -1.6 V | - |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | - |
Длина | 5mm | 5mm | - |
Ширина | 4mm | 4mm | - |
REACH SVHC | Unknown | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -30V | - |
Максимальная потеря мощности | - | 900mW | - |
Моментальный ток | - | -7A | - |
Напряжение | - | 30V | - |
Текущий | - | 7A | - |
Пороговое напряжение | - | -1.6V | - |
Двухпитание напряжения | - | -30V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | - |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.022Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R | Для сравнения |
 | DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A | Для сравнения |
 | SI4214DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS4935A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC | Для сравнения |