SI4485DY-T1-GE3 Альтернативные части: DMN3018SSD-13

SI4485DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 3936

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽

Цена за единицу: 94.985604 ₽

Итоговая цена: 94.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4485DY-T1-GE3	иDMN3018SSD-13
Производитель:	Vishay Siliconix	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC	MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
Срок поставки от производителя	14 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	506.605978mg	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6A Tc	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.4W Ta 5W Tc	-
Время отключения	18 ns	20.1 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	-
Опубликовано	2013	2013
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	42mOhm	-
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40
Число контактов	8	-
Каналов количество	1	2
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.4W	-
Время задержки включения	8 ns	4.3 ns
Тип ТРВ	P-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	42m Ω @ 5.9A, 10V	22m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	2.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	590pF @ 15V	697pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	21nC @ 10V	13.2nC @ 10V
Время подъема	10ns	4.4ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	-
Время падения (тип)	8 ns	4.1 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.9A	6.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	30V
Номинальное Vgs	-1.2 V	-
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	4.95mm
Ширина	4mm	3.95mm
REACH SVHC	Unknown	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Безоловая кодировка	-	yes
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	-	1.5W
Нормативная Марка	-	AEC-Q101
Максимальный импульсный ток вывода	-	60A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
BSO220N03MSGXUMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R	Для сравнения
DMN3018SSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A	Для сравнения
SI4214DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC	Для сравнения
FDS4935A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC	Для сравнения