SI4485DY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 3936
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽
Цена за единицу: 94.985604 ₽
Итоговая цена: 94.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 506.605978mg | 186.993455mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6A Tc | 8.5A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - |
Количество элементов | 1 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.4W Ta 5W Tc | - |
Время отключения | 18 ns | 18 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2013 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 42mOhm | 23.5mOhm |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Число контактов | 8 | 8 |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.4W | 2W |
Время задержки включения | 8 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 42m Ω @ 5.9A, 10V | 23.5m Ω @ 7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 590pF @ 15V | 785pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 21nC @ 10V | 23nC @ 10V |
Время подъема | 10ns | 11ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - |
Время падения (тип) | 8 ns | 9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.9A | 6.8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V |
Номинальное Vgs | -1.2 V | - |
Высота | 1.5mm | - |
Длина | 5mm | - |
Ширина | 4mm | - |
REACH SVHC | Unknown | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | PURE MATTE TIN |
Максимальная потеря мощности | - | 3.1W |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Standard |