RN4982FE,LF(CT Альтернативные части: RN4902FE,LF(CT ,RN1962FE(TE85L,F)

RN4982FE,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 2975

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽

Цена за единицу: 21.107912 ₽

Итоговая цена: 21.15 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN4982FE,LF(CT	иRN4902FE,LF(CT	иRN1962FE(TE85L,F)
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	-
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Вес	3.005049mg	3.005049mg	-
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	100mA	-
Минимальная частота работы в герцах	50	50	50
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW	100mW
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP	NPN
Каналов количество	2	2	-
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	-50V	300mV	300mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	50 @ 10mA 5V	50 @ 10mA 5V	50 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	500nA	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	50V	50V	-
Частота - Переход	250MHz	250MHz 200MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-10V	10V	10V
База (R1)	10k Ω	10kOhms	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	10k Ω	10kOhms	10k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Монтаж	-	Surface Mount	Surface Mount
Поставщик упаковки устройства	-	ES6	-
Диэлектрический пробой напряжение	-	50V	50V
Опубликовано	-	2014	2014
Мощность - Макс	-	100mW	-
Максимальный ток сбора	-	100mA	100mA
Максимальное напряжение разрушения	-	50V	50V
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	2
Код соответствия REACH	-	-	unknown
Конфигурация элемента	-	-	Dual

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NSBA114EDXV6T5	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	Для сравнения
RN4902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
RN1962FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения
NSBC114EPDXV6T1	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	Для сравнения