Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN4982FE,LF(CT Альтернативные части: NSBC114EPDXV6T1
RN4982FE,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 2975
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽
Цена за единицу: 21.107912 ₽
Итоговая цена: 21.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
Вес | 3.005049mg | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - |
Минимальная частота работы в герцах | 50 | 35 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 500mW |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP |
Каналов количество | 2 | - |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | -50V | 50V |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 50 @ 10mA 5V | 35 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 250mV @ 300μA, 10mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - |
Частота - Переход | 250MHz | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -10V | - |
База (R1) | 10k Ω | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10k Ω | 10k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | Non-RoHS Compliant |
Монтаж | - | Surface Mount |
Количество контактов | - | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | - | 50V |
Количество элементов | - | 2 |
Опубликовано | - | 2008 |
Код JESD-609 | - | e3 |
Количество выводов | - | 6 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V |
Форма вывода | - | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Основной номер части | - | NSBC1* |
Число контактов | - | 6 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Конфигурация элемента | - | Dual |
Распад мощности | - | 357mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Максимальный ток сбора | - | 100mA |
Максимальное напряжение разрушения | - | 50V |
Без свинца | - | Contains Lead |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NSBA114EDXV6T5 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Для сравнения |
 | RN4902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |
| RN1962FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |
| NSBC114EPDXV6T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Для сравнения |