RN4982FE,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 2975
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽
Цена за единицу: 21.107912 ₽
Итоговая цена: 21.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
Вес | 3.005049mg | 3.005049mg |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | 100mA |
Минимальная частота работы в герцах | 50 | 50 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 100mW |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP |
Каналов количество | 2 | 2 |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | -50V | 300mV |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 50 @ 10mA 5V | 50 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz 200MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -10V | 10V |
База (R1) | 10k Ω | 10kOhms |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10k Ω | 10kOhms |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Монтаж | - | Surface Mount |
Поставщик упаковки устройства | - | ES6 |
Диэлектрический пробой напряжение | - | 50V |
Опубликовано | - | 2014 |
Мощность - Макс | - | 100mW |
Максимальный ток сбора | - | 100mA |
Максимальное напряжение разрушения | - | 50V |