NTMFS4C09NT1G Альтернативные части: NTMFS4841NT1G ,NTMFS4C10NT1G

NTMFS4C09NT1GON Semiconductor

В наличии: 4870

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
69.080440 ₽
69.09 ₽
10
65.170192 ₽
651.65 ₽
100
61.481305 ₽
6,148.08 ₽
500
58.001277 ₽
29,000.69 ₽
1000
54.718132 ₽
54,718.13 ₽

Цена за единицу: 69.080440 ₽

Итоговая цена: 69.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNTMFS4C09NT1G	иNTMFS4841NT1G	иNTMFS4C10NT1G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET T6 LC SO8FL	Mosfet Transistor, N Channel, 57 A, 30 V, 4.7 Mohm, 11.5 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO-FL T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
Срок поставки от производителя	16 Weeks	16 Weeks	16 Weeks
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN, 5 Leads	8-PowerTDFN
Поверхностный монтаж	YES	YES	YES
Количество контактов	5	5	5
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9A Ta	8.3A Ta 57A Tc	8.2A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	760mW Ta 25.5W Tc	870mW Ta 41.7W Tc	750mW Ta 23.6W Tc
Время отключения	20 ns	15.5 ns	14 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2005	2013
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260	-
Код соответствия REACH	not_compliant	-	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	40	-
Число контактов	5	5	5
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Время задержки включения	10 ns	13.5 ns	9 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	5.8m Ω @ 30A, 10V	7m Ω @ 30A, 10V	6.95m Ω @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	2.5V @ 250μA	2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1252pF @ 15V	1436pF @ 12V	987pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	10.9nC @ 4.5V	17nC @ 4.5V	9.7nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	52A	13.1A	46A
Пороговое напряжение	2.1V	2.5V	2.2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Высота	1.05mm	1.1mm	1.05mm
Длина	6.1mm	5.1mm	6.1mm
Ширина	5.1mm	6.1mm	5.1mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Количество выводов	-	5	5
Положение терминала	-	DUAL	DUAL
Форма вывода	-	FLAT	FLAT
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	-	5W	-
Сокетная связка	-	DRAIN	DRAIN
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Время подъема	-	66.5ns	34ns
Время падения (тип)	-	7.5 ns	7 ns
Максимальный сливовой ток (ID)	-	8.3A	8.2A
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	-
Корпусировка на излучение	-	No	-
Каналов количество	-	-	1
Минимальная напряжённость разрушения	-	-	30V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NTMFS4925NT3G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN, 5 Leads	MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 Ohm NCH	Для сравнения
NTMFS4841NT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN, 5 Leads	Mosfet Transistor, N Channel, 57 A, 30 V, 4.7 Mohm, 11.5 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes	Для сравнения
NTMFS4C10NT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO-FL T/R	Для сравнения