Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NTMFS4C09NT1G Альтернативные части: NTMFS4C10NT1G
NTMFS4C09NT1GON Semiconductor
В наличии: 4870
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
69.080440 ₽
69.09 ₽
10
65.170192 ₽
651.65 ₽
100
61.481305 ₽
6,148.08 ₽
500
58.001277 ₽
29,000.69 ₽
1000
54.718132 ₽
54,718.13 ₽
Цена за единицу: 69.080440 ₽
Итоговая цена: 69.09 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET T6 LC SO8FL | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO-FL T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 16 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 5 | 5 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9A Ta | 8.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 760mW Ta 25.5W Tc | 750mW Ta 23.6W Tc |
Время отключения | 20 ns | 14 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Число контактов | 5 | 5 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Время задержки включения | 10 ns | 9 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 5.8m Ω @ 30A, 10V | 6.95m Ω @ 30A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 2.2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1252pF @ 15V | 987pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V | 9.7nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 52A | 46A |
Пороговое напряжение | 2.1V | 2.2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Высота | 1.05mm | 1.05mm |
Длина | 6.1mm | 6.1mm |
Ширина | 5.1mm | 5.1mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Количество выводов | - | 5 |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | FLAT |
Каналов количество | - | 1 |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | - | DRAIN |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Время подъема | - | 34ns |
Время падения (тип) | - | 7 ns |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 8.2A |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS4925NT3G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 Ohm NCH | Для сравнения |
| NTMFS4841NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Mosfet Transistor, N Channel, 57 A, 30 V, 4.7 Mohm, 11.5 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes | Для сравнения |
| NTMFS4C10NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO-FL T/R | Для сравнения |