NTMFS4C09NT1G Альтернативные части: NTMFS4841NT1G

NTMFS4C09NT1GON Semiconductor

  • NTMFS4C09NT1GON Semiconductor
  • NTMFS4841NT1GON Semiconductor

В наличии: 4870

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    69.080440 ₽

    69.09 ₽

  • 10

    65.170192 ₽

    651.65 ₽

  • 100

    61.481305 ₽

    6,148.08 ₽

  • 500

    58.001277 ₽

    29,000.69 ₽

  • 1000

    54.718132 ₽

    54,718.13 ₽

Цена за единицу: 69.080440 ₽

Итоговая цена: 69.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET T6 LC SO8FL
Mosfet Transistor, N Channel, 57 A, 30 V, 4.7 Mohm, 11.5 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
16 Weeks
16 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-PowerTDFN
8-PowerTDFN, 5 Leads
Поверхностный монтаж
YES
YES
Количество контактов
5
5
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
9A Ta
8.3A Ta 57A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния
760mW Ta 25.5W Tc
870mW Ta 41.7W Tc
Время отключения
20 ns
15.5 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2005
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
Код соответствия REACH
not_compliant
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
40
Число контактов
5
5
Конфигурация элемента
Single
Single
Время задержки включения
10 ns
13.5 ns
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
5.8m Ω @ 30A, 10V
7m Ω @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250μA
2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
1252pF @ 15V
1436pF @ 12V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
10.9nC @ 4.5V
17nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
-
Угол настройки (макс.)
±20V
±20V
Непрерывный ток стока (ID)
52A
13.1A
Пороговое напряжение
2.1V
2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Высота
1.05mm
1.1mm
Длина
6.1mm
5.1mm
Ширина
5.1mm
6.1mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Количество элементов
-
1
Количество выводов
-
5
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
FLAT
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
-
5W
Сокетная связка
-
DRAIN
Применение транзистора
-
SWITCHING
Время подъема
-
66.5ns
Время падения (тип)
-
7.5 ns
Максимальный сливовой ток (ID)
-
8.3A
Напряжение пробоя стока к истоку
-
30V
Корпусировка на излучение
-
No