NSVMMBTH10LT1G Альтернативные части: MMBTH10LT3G ,MMBTH10-4LT1G

NSVMMBTH10LT1GON Semiconductor

  • NSVMMBTH10LT1GON Semiconductor
  • MMBTH10LT3GON Semiconductor
  • MMBTH10-4LT1GON Semiconductor

В наличии: 12098

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    40.296923 ₽

    40.25 ₽

  • 10

    38.015920 ₽

    380.22 ₽

  • 100

    35.864162 ₽

    3,586.40 ₽

  • 500

    33.834066 ₽

    16,917.03 ₽

  • 1000

    31.918901 ₽

    31,918.96 ₽

Цена за единицу: 40.296923 ₽

Итоговая цена: 40.25 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23
TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
8 Weeks
8 Weeks
8 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж
YES
YES
YES
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
25V
25V
25V
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2012
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Основной номер части
MMBTH10
MMBTH10
MMBTH10
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Без галогенов
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
25V
25V
25V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 4mA 10V
60 @ 4mA 10V
120 @ 4mA 10V
Максимальная частота
100MHz
-
-
Частота перехода
650MHz
650MHz
800MHz
Частота - Переход
650MHz
-
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
25V
3V
3V
Высота
1.11mm
1.11mm
-
Длина
3.04mm
3.04mm
-
Ширина
2.64mm
2.64mm
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Минимальная частота работы в герцах
-
60
120
Количество выводов
-
3
3
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Частота
-
650MHz
800MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
40
Распад мощности
-
300mW
300mW
Продуктивность полосы частот
-
650MHz
800MHz
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
0.7pF
0.7pF
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
25V
Моментальный ток
-
-
4mA
Максимальное напряжение разрушения
-
-
25V
Максимальный ток коллектора (IC)
-
-
0.025A