Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NSVMMBTH10LT1G Альтернативные части: 2SC2714-O(TE85L,F)
NSVMMBTH10LT1GON Semiconductor
В наличии: 12098
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
40.296923 ₽
40.25 ₽
10
38.015920 ₽
380.22 ₽
100
35.864162 ₽
3,586.40 ₽
500
33.834066 ₽
16,917.03 ₽
1000
31.918901 ₽
31,918.96 ₽
Цена за единицу: 40.296923 ₽
Итоговая цена: 40.25 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 | TRANS RF NPN 30V 550MHZ S-MINI |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 12 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | - |
Количество контактов | 3 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 30V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 125°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 100mW |
Основной номер части | MMBTH10 | - |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 25V | 30V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 20mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 4mA 10V | 70 @ 1mA 6V |
Максимальная частота | 100MHz | - |
Частота перехода | 650MHz | - |
Частота - Переход | 650MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25V | 4V |
Высота | 1.11mm | - |
Длина | 3.04mm | - |
Ширина | 2.64mm | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Монтаж | - | Surface Mount |
Вес | - | 7.994566mg |
Минимальная частота работы в герцах | - | 40 |
Код соответствия REACH | - | unknown |
Частота | - | 550MHz |
Увеличение | - | 23dB |
Максимальное напряжение разрушения | - | 30V |
Прямоходящий ток коллектора | - | 20mA |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | - | 2.5dB @ 100MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBTH10LT3G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23 | Для сравнения |
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 | Для сравнения |
 | 2SC2714-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS RF NPN 30V 550MHZ S-MINI | Для сравнения |
 | MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 | Для сравнения |