Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NSVMMBTH10LT1G Альтернативные части: MMBTH10LT1G
NSVMMBTH10LT1GON Semiconductor
В наличии: 12098
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
40.296923 ₽
40.25 ₽
10
38.015920 ₽
380.22 ₽
100
35.864162 ₽
3,586.40 ₽
500
33.834066 ₽
16,917.03 ₽
1000
31.918901 ₽
31,918.96 ₽
Цена за единицу: 40.296923 ₽
Итоговая цена: 40.25 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 25V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 225mW |
Основной номер части | MMBTH10 | MMBTH10 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 25V | 25V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 100nA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 4mA 10V | 60 @ 4mA 10V |
Максимальная частота | 100MHz | - |
Частота перехода | 650MHz | 650MHz |
Частота - Переход | 650MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25V | 3V |
Высота | 1.11mm | 1.11mm |
Длина | 3.04mm | 3.04mm |
Ширина | 2.64mm | 1.4mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Вес | - | 4.535924g |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | - | 60 |
Количество выводов | - | 3 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 25V |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | 4mA |
Частота | - | 650MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Распад мощности | - | 225mW |
Продуктивность полосы частот | - | 650MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 25V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
Сопротивление базы-эмиттора макс | - | 0.7pF |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBTH10LT3G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23 | Для сравнения |
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23 | Для сравнения |
 | 2SC2714-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS RF NPN 30V 550MHZ S-MINI | Для сравнения |
 | MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 | Для сравнения |