MMBTA05 Альтернативные части: MMBTA05-7-F

MMBTA05ON Semiconductor

  • MMBTA05ON Semiconductor
  • MMBTA05-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2560

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    15.447157 ₽

    15.38 ₽

  • 10

    14.572802 ₽

    145.74 ₽

  • 100

    13.747871 ₽

    1,374.73 ₽

  • 500

    12.969753 ₽

    6,484.89 ₽

  • 1000

    12.235591 ₽

    12,235.58 ₽

Цена за единицу: 15.447157 ₽

Итоговая цена: 15.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
-
Срок поставки от производителя
6 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение
60V
60V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
500mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2017
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
60V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
Моментальный ток
500mA
100mA
Частота
100MHz
100MHz
Основной номер части
MMBTA05
MMBTA05
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
60V
60V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
60V
-
Максимальная частота
100MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
60V
60V
Частота - Переход
100MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4V
4V
Высота
930μm
1mm
Длина
2.9mm
3.05mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
100MHz
Прямоходящий ток коллектора
-
500mA