MMBTA05 Альтернативные части: KST05MTF

MMBTA05ON Semiconductor

  • MMBTA05ON Semiconductor
  • KST05MTFON Semiconductor

В наличии: 2560

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    15.447157 ₽

    15.38 ₽

  • 10

    14.572802 ₽

    145.74 ₽

  • 100

    13.747871 ₽

    1,374.73 ₽

  • 500

    12.969753 ₽

    6,484.89 ₽

  • 1000

    12.235591 ₽

    12,235.58 ₽

Цена за единицу: 15.447157 ₽

Итоговая цена: 15.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
60V
60V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
500mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
50
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2008
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
60V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
100MHz
100MHz
Основной номер части
MMBTA05
KST05
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
60V
60V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
50 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
60V
-
Максимальная частота
100MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
60V
60V
Частота - Переход
100MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4V
4V
Высота
930μm
-
Длина
2.9mm
-
Ширина
1.3mm
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
100MHz