MMBTA05ON Semiconductor
В наличии: 2560
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
15.447157 ₽
15.38 ₽
10
14.572802 ₽
145.74 ₽
100
13.747871 ₽
1,374.73 ₽
500
12.969753 ₽
6,484.89 ₽
1000
12.235591 ₽
12,235.58 ₽
Цена за единицу: 15.447157 ₽
Итоговая цена: 15.38 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 6 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Поставщик упаковки устройства | SOT-23-3 | - |
Вес | 30mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 60V | 60V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 500mA | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 50 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2002 | 2008 |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 60V | 60V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW |
Моментальный ток | 500mA | 500mA |
Частота | 100MHz | 100MHz |
Основной номер части | MMBTA05 | KST05 |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Мощность - Макс | 350mW | - |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 100MHz |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 60V | 60V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 100mA 1V | 50 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | 250mV @ 10mA, 100mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 60V | - |
Максимальная частота | 100MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 60V | 60V |
Частота - Переход | 100MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4V | 4V |
Высота | 930μm | - |
Длина | 2.9mm | - |
Ширина | 1.3mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Частота перехода | - | 100MHz |