MMBTA05 Альтернативные части: BCW71

MMBTA05ON Semiconductor

  • MMBTA05ON Semiconductor
  • BCW71ON Semiconductor

В наличии: 2560

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    15.447157 ₽

    15.38 ₽

  • 10

    14.572802 ₽

    145.74 ₽

  • 100

    13.747871 ₽

    1,374.73 ₽

  • 500

    12.969753 ₽

    6,484.89 ₽

  • 1000

    12.235591 ₽

    12,235.58 ₽

Цена за единицу: 15.447157 ₽

Итоговая цена: 15.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
39 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
60V
45V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
500mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
110
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2000
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
60V
45V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
100MHz
330MHz
Основной номер части
MMBTA05
BCW71
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
330MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
60V
45V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
110 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 500μA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
60V
-
Максимальная частота
100MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
60V
45V
Частота - Переход
100MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4V
5V
Высота
930μm
930μm
Длина
2.9mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
330MHz