MMBT5551 Альтернативные части: MMBT5551-7-F ,MMBT5550

MMBT5551ON Semiconductor

  • MMBT5551ON Semiconductor
  • MMBT5551-7-FDiodes Incorporated
  • MMBT5550ON Semiconductor

В наличии: 53929

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    7.304876 ₽

    7.28 ₽

  • 500

    5.371195 ₽

    2,685.58 ₽

  • 1000

    4.476030 ₽

    4,476.10 ₽

  • 2000

    4.106442 ₽

    8,212.91 ₽

  • 5000

    3.837802 ₽

    19,189.01 ₽

  • 10000

    3.570014 ₽

    35,700.14 ₽

  • 15000

    3.452679 ₽

    51,790.11 ₽

  • 50000

    3.394918 ₽

    169,745.88 ₽

Цена за единицу: 7.304876 ₽

Итоговая цена: 7.28 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin SOT-23
Срок поставки от производителя
31 Weeks
13 Weeks
14 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
SOT-23-3
Вес
30mg
7.994566mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
160V
160V
140V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
600mA
-
600mA
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
30
60
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
2008
2005
Состояние изделия
Obsolete
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
160V
160V
140V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
350mW
Моментальный ток
600mA
200mA
600mA
Частота
300MHz
300MHz
50MHz
Основной номер части
MMBT5551
MMBT5551
MMBT5550
Направленность
NPN
-
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
350mW
300mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
350mW
Продуктивность полосы частот
100MHz
300MHz
50MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
160V
160V
140V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
80 @ 10mA 5V
60 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
500nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
200mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
160V
-
140V
Максимальная частота
300MHz
-
50MHz
Максимальное напряжение разрушения
160V
160V
140V
Частота - Переход
100MHz
-
50MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
180V
180V
160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
6V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
150°C
-
Высота
1.2mm
1.1mm
930μm
Длина
2.92mm
3.05mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
-
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Код ECCN
-
EAR99
-
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
-
Положение терминала
-
DUAL
-
Форма вывода
-
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
3
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Частота перехода
-
100MHz
-
Прямоходящий ток коллектора
-
200mA
-
Состояние жизненного цикла
-
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)