MMBT5551 Альтернативные части: MMBT5551-7-F

MMBT5551ON Semiconductor

  • MMBT5551ON Semiconductor
  • MMBT5551-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 53929

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    7.304876 ₽

    7.28 ₽

  • 500

    5.371195 ₽

    2,685.58 ₽

  • 1000

    4.476030 ₽

    4,476.10 ₽

  • 2000

    4.106442 ₽

    8,212.91 ₽

  • 5000

    3.837802 ₽

    19,189.01 ₽

  • 10000

    3.570014 ₽

    35,700.14 ₽

  • 15000

    3.452679 ₽

    51,790.11 ₽

  • 50000

    3.394918 ₽

    169,745.88 ₽

Цена за единицу: 7.304876 ₽

Итоговая цена: 7.28 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя
31 Weeks
13 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение
160V
160V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
600mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
30
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
2008
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
160V
160V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
Моментальный ток
600mA
200mA
Частота
300MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT5551
MMBT5551
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
300mW
Мощность - Макс
350mW
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
300MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
160V
160V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
200mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
160V
-
Максимальная частота
300MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
160V
160V
Частота - Переход
100MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
180V
180V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
150°C
Высота
1.2mm
1.1mm
Длина
2.92mm
3.05mm
Ширина
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
100MHz
Прямоходящий ток коллектора
-
200mA