MMBT5551 Альтернативные части: KST5550MTF

MMBT5551ON Semiconductor

  • MMBT5551ON Semiconductor
  • KST5550MTFON Semiconductor

В наличии: 53929

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    7.304876 ₽

    7.28 ₽

  • 500

    5.371195 ₽

    2,685.58 ₽

  • 1000

    4.476030 ₽

    4,476.10 ₽

  • 2000

    4.106442 ₽

    8,212.91 ₽

  • 5000

    3.837802 ₽

    19,189.01 ₽

  • 10000

    3.570014 ₽

    35,700.14 ₽

  • 15000

    3.452679 ₽

    51,790.11 ₽

  • 50000

    3.394918 ₽

    169,745.88 ₽

Цена за единицу: 7.304876 ₽

Итоговая цена: 7.28 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Срок поставки от производителя
31 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
160V
140V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
600mA
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
60
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
-
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
160V
140V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Моментальный ток
600mA
600mA
Частота
300MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT5551
KST5550
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
300MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
160V
140V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
60 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
160V
-
Максимальная частота
300MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
160V
140V
Частота - Переход
100MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
180V
160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Высота
1.2mm
-
Длина
2.92mm
-
Ширина
1.3mm
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
100MHz