MMBT5551ON Semiconductor
В наличии: 53929
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
7.304876 ₽
7.28 ₽
500
5.371195 ₽
2,685.58 ₽
1000
4.476030 ₽
4,476.10 ₽
2000
4.106442 ₽
8,212.91 ₽
5000
3.837802 ₽
19,189.01 ₽
10000
3.570014 ₽
35,700.14 ₽
15000
3.452679 ₽
51,790.11 ₽
50000
3.394918 ₽
169,745.88 ₽
Цена за единицу: 7.304876 ₽
Итоговая цена: 7.28 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
Срок поставки от производителя | 31 Weeks | 6 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Поставщик упаковки устройства | SOT-23-3 | - | - |
Вес | 30mg | 30mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 160V | 160V | 140V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 600mA | - | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 | 60 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2003 | - |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 160V | 160V | 140V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW | 350mW |
Моментальный ток | 600mA | 600mA | 600mA |
Частота | 300MHz | 300MHz | 300MHz |
Основной номер части | MMBT5551 | KST5551 | KST5550 |
Направленность | NPN | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW | 350mW |
Мощность - Макс | 350mW | - | - |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | 300MHz | 300MHz |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 160V | 160V | 140V |
Максимальный ток сбора | 600mA | 600mA | 600mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V | 60 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 50nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | 200mV @ 5mA, 50mA | 250mV @ 5mA, 50mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 160V | - | - |
Максимальная частота | 300MHz | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 160V | 160V | 140V |
Частота - Переход | 100MHz | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 180V | 180V | 160V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V | 6V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Высота | 1.2mm | 970μm | - |
Длина | 2.92mm | 2.9mm | - |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | - |
Полярность/Тип канала | - | NPN | NPN |
Частота перехода | - | 100MHz | 100MHz |