MMBT4401 Альтернативные части: MMBT2222A-7-F

MMBT4401ON Semiconductor

  • MMBT4401ON Semiconductor
  • MMBT2222A-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 6621

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.513407 ₽

    11.54 ₽

  • 10

    10.861745 ₽

    108.65 ₽

  • 100

    10.246937 ₽

    1,024.73 ₽

  • 500

    9.666854 ₽

    4,833.38 ₽

  • 1000

    9.119670 ₽

    9,119.64 ₽

Цена за единицу: 11.513407 ₽

Итоговая цена: 11.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
39 Weeks
19 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
600mA
-
Количество элементов
1
1
Время отключения
255 ns
-
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
2008
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
Моментальный ток
500mA
600mA
Частота
250MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT4401
MMBT2222A
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Время задержки включения
35 ns
-
Мощность - Макс
350mW
310mW
Продуктивность полосы частот
250MHz
300MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 1V
100 @ 150mA 10V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
1V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
40V
-
Максимальная частота
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Частота - Переход
250MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Высота
6.35mm
1.1mm
Длина
6.35mm
3mm
Ширина
6.35mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Завершение
-
SMD/SMT
Код ECCN
-
EAR99
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
3
Напряжение
-
40V
Текущий
-
1A
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
10nA ICBO
Частота перехода
-
300MHz
Прямоходящий ток коллектора
-
600mA
Время выключения максимальное (toff)
-
285ns