MMBT4401 Альтернативные части: KST4401MTF

MMBT4401ON Semiconductor

  • MMBT4401ON Semiconductor
  • KST4401MTFON Semiconductor

В наличии: 6621

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.513407 ₽

    11.54 ₽

  • 10

    10.861745 ₽

    108.65 ₽

  • 100

    10.246937 ₽

    1,024.73 ₽

  • 500

    9.666854 ₽

    4,833.38 ₽

  • 1000

    9.119670 ₽

    9,119.64 ₽

Цена за единицу: 11.513407 ₽

Итоговая цена: 11.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя
39 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
-
Вес
30mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
600mA
-
Количество элементов
1
1
Время отключения
255 ns
-
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
2002
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Моментальный ток
500mA
600mA
Частота
250MHz
250MHz
Основной номер части
MMBT4401
KST4401
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Время задержки включения
35 ns
-
Мощность - Макс
350mW
-
Продуктивность полосы частот
250MHz
250MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 1V
100 @ 150mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
750mV @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
40V
-
Максимальная частота
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Частота - Переход
250MHz
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Высота
6.35mm
970μm
Длина
6.35mm
2.9mm
Ширина
6.35mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
NPN
Частота перехода
-
250MHz
Время выключения максимальное (toff)
-
255ns