MMBT4401 Альтернативные части: MMBT2222A

MMBT4401ON Semiconductor

  • MMBT4401ON Semiconductor
  • MMBT2222AON Semiconductor

В наличии: 6621

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.513407 ₽

    11.54 ₽

  • 10

    10.861745 ₽

    108.65 ₽

  • 100

    10.246937 ₽

    1,024.73 ₽

  • 500

    9.666854 ₽

    4,833.38 ₽

  • 1000

    9.119670 ₽

    9,119.64 ₽

Цена за единицу: 11.513407 ₽

Итоговая цена: 11.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
TRANS NPN 40V 1A SOT-23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
39 Weeks
142 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23-3
SOT-23-3
Вес
30mg
59.987591mg
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
600mA
1A
Количество элементов
1
1
Время отключения
255 ns
-
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2013
2016
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
250MHz
300MHz
Основной номер части
MMBT4401
MMBT2222
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Время задержки включения
35 ns
-
Мощность - Макс
350mW
350mW
Продуктивность полосы частот
250MHz
300MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 1V
100 @ 150mA 10V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
1V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
40V
40V
Максимальная частота
250MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Частота - Переход
250MHz
300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Высота
6.35mm
1mm
Длина
6.35mm
3.05mm
Ширина
6.35mm
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
Unknown
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
Напряжение
-
40V
Текущий
-
6A
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
10nA ICBO