MMBFJ202ON Semiconductor
В наличии: 801
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
44.134725 ₽
44.09 ₽
10
41.636511 ₽
416.35 ₽
100
39.279712 ₽
3,928.02 ₽
500
37.056374 ₽
18,528.16 ₽
1000
34.958832 ₽
34,958.79 ₽
Цена за единицу: 44.134725 ₽
Итоговая цена: 44.09 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 | JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 | JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | - | 42 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | - | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | - | 3 |
Вес | 30mg | - | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Пороговая напряжённость / В | 40V | - | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2001 | 2003 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 40V | - | 40V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | - | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 50mA | - | 50mA |
Основной номер части | MBFJ202 | MBFJ112 | MBF5103 |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
Распад мощности | 350mW | - | 350mW |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | - | 40V |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.4mA | - | 40mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | -40V | - | -40V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | JUNCTION | JUNCTION | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0) | 900μA @ 20V | 5mA @ 15V | 10mA @ 15V |
Ток-отсечка (VGS off) @ Id | 800mV @ 10nA | 5V @ 1μA | 1.2V @ 1nA |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Поверхностный монтаж | - | YES | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | - |
Число контактов | - | 3 | - |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G3 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Конфигурация | - | SINGLE | - |
Мощность - Макс | - | 300mW | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 6pF @ 10V VGS | 16pF @ 15V |
Код JEDEC-95 | - | TO-236AB | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 50Ohm | - |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 40V | - |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | 0.3W | - |
Теперь | - | 40V | - |
Сопротивление - RDS(на) | - | 50Ohm | - |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | - | 6 pF |
Высота | - | - | 1.04mm |
Длина | - | - | 2.9mm |
Ширина | - | - | 1.3mm |