MMBFJ202 Альтернативные части: PMBFJ112,215 ,MMBF5103

MMBFJ202ON Semiconductor

  • MMBFJ202ON Semiconductor
  • PMBFJ112,215NXP USA Inc.
  • MMBF5103ON Semiconductor

В наличии: 801

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    44.134725 ₽

    44.09 ₽

  • 10

    41.636511 ₽

    416.35 ₽

  • 100

    39.279712 ₽

    3,928.02 ₽

  • 500

    37.056374 ₽

    18,528.16 ₽

  • 1000

    34.958832 ₽

    34,958.79 ₽

Цена за единицу: 44.134725 ₽

Итоговая цена: 44.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
16 Weeks
-
42 Weeks
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
-
3
Вес
30mg
-
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
40V
-
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2001
2003
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
-
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
-
50mA
Основной номер части
MBFJ202
MBFJ112
MBF5103
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
-
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
-
40V
Непрерывный ток стока (ID)
5.4mA
-
40mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
-
-40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
900μA @ 20V
5mA @ 15V
10mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
800mV @ 10nA
5V @ 1μA
1.2V @ 1nA
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Поверхностный монтаж
-
YES
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
3
-
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Конфигурация
-
SINGLE
-
Мощность - Макс
-
300mW
-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
6pF @ 10V VGS
16pF @ 15V
Код JEDEC-95
-
TO-236AB
-
Сопротивление открытого канала-макс
-
50Ohm
-
Минимальная напряжённость разрушения
-
40V
-
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
0.3W
-
Теперь
-
40V
-
Сопротивление - RDS(на)
-
50Ohm
-
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
-
-
6 pF
Высота
-
-
1.04mm
Длина
-
-
2.9mm
Ширина
-
-
1.3mm