MMBFJ202 Альтернативные части: MMBF4091

MMBFJ202ON Semiconductor

  • MMBFJ202ON Semiconductor
  • MMBF4091ON Semiconductor

В наличии: 801

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    44.134725 ₽

    44.09 ₽

  • 10

    41.636511 ₽

    416.35 ₽

  • 100

    39.279712 ₽

    3,928.02 ₽

  • 500

    37.056374 ₽

    18,528.16 ₽

  • 1000

    34.958832 ₽

    34,958.79 ₽

Цена за единицу: 44.134725 ₽

Итоговая цена: 44.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4091N CHANNEL JFET, -40V, SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
16 Weeks
7 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
40V
-40V
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2000
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
30mA
Основной номер части
MBFJ202
MBF4091
Конфигурация элемента
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
40V
Непрерывный ток стока (ID)
5.4mA
30mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
-40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
900μA @ 20V
30mA @ 20V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
800mV @ 10nA
5V @ 1nA
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
16pF @ 20V
Сопротивление стока к истоку
-
30Ohm
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
-
5 pF
Сопротивление - RDS(на)
-
30Ohm
Высота
-
930μm
Длина
-
2.92mm
Ширина
-
1.3mm