MMBFJ202 Альтернативные части: MMBF5103

MMBFJ202ON Semiconductor

  • MMBFJ202ON Semiconductor
  • MMBF5103ON Semiconductor

В наличии: 801

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    44.134725 ₽

    44.09 ₽

  • 10

    41.636511 ₽

    416.35 ₽

  • 100

    39.279712 ₽

    3,928.02 ₽

  • 500

    37.056374 ₽

    18,528.16 ₽

  • 1000

    34.958832 ₽

    34,958.79 ₽

Цена за единицу: 44.134725 ₽

Итоговая цена: 44.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
16 Weeks
42 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
40V
-
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2003
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
50mA
Основной номер части
MBFJ202
MBF5103
Конфигурация элемента
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
40V
Непрерывный ток стока (ID)
5.4mA
40mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
-40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
900μA @ 20V
10mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
800mV @ 10nA
1.2V @ 1nA
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
16pF @ 15V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
-
6 pF
Высота
-
1.04mm
Длина
-
2.9mm
Ширина
-
1.3mm