MMBFJ202ON Semiconductor
В наличии: 801
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
44.134725 ₽
44.09 ₽
10
41.636511 ₽
416.35 ₽
100
39.279712 ₽
3,928.02 ₽
500
37.056374 ₽
18,528.16 ₽
1000
34.958832 ₽
34,958.79 ₽
Цена за единицу: 44.134725 ₽
Итоговая цена: 44.09 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 | JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 42 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Пороговая напряжённость / В | 40V | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2003 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 40V | 40V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 50mA | 50mA |
Основной номер части | MBFJ202 | MBF5103 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | 40V |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.4mA | 40mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | -40V | -40V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | JUNCTION | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0) | 900μA @ 20V | 10mA @ 15V |
Ток-отсечка (VGS off) @ Id | 800mV @ 10nA | 1.2V @ 1nA |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 16pF @ 15V |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | 6 pF |
Высота | - | 1.04mm |
Длина | - | 2.9mm |
Ширина | - | 1.3mm |