MMBF5103 Альтернативные части: PMBF4391,215 ,MMBF4393

MMBF5103ON Semiconductor

  • MMBF5103ON Semiconductor
  • PMBF4391,215NXP USA Inc.
  • MMBF4393ON Semiconductor

В наличии: 26034

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    41.256374 ₽

    41.21 ₽

  • 10

    38.921071 ₽

    389.15 ₽

  • 100

    36.717981 ₽

    3,671.84 ₽

  • 500

    34.639615 ₽

    17,319.78 ₽

  • 1000

    32.678887 ₽

    32,678.85 ₽

Цена за единицу: 41.256374 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
JFET N-CH 40V 250MW SOT23
JFET N-CH 30V 350MW SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
-
LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
42 Weeks
8 Weeks
14 Weeks
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
-
3
Вес
30mg
-
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2003
1997
2000
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-
30V
Максимальная потеря мощности
350mW
-
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
-
30mA
Основной номер части
MBF5103
MBF4391
MBF4393
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
-
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
16pF @ 15V
14pF @ 20V
14pF @ 20V
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
-
-
Непрерывный ток стока (ID)
40mA
-
30mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
-
-30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JUNCTION
JUNCTION
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
6 pF
3.5 pF
-
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
10mA @ 15V
50mA @ 20V
5mA @ 20V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
1.2V @ 1nA
4V @ 1nA
500mV @ 1nA
Высота
1.04mm
-
930μm
Длина
2.9mm
-
2.92mm
Ширина
1.3mm
-
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Поверхностный монтаж
-
YES
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
3
-
Код JESD-30
-
R-PDSO-F3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Конфигурация
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
-
Мощность - Макс
-
250mW
-
Максимальный сливовой ток (ID)
-
0.012A
-
Сопротивление открытого канала-макс
-
30Ohm
-
Минимальная напряжённость разрушения
-
40V
-
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
0.25W
-
Время выключения максимальное (toff)
-
20ns
-
Время включения максимальный (тон)
-
80ns
-
Теперь
-
40V
-
Сопротивление - RDS(на)
-
30Ohm
100Ohm
Покрытие контактов
-
-
Tin
Пороговая напряжённость / В
-
-
-30V
Сопротивление стока к истоку
-
-
100Ohm