MMBF5103 Альтернативные части: MMBF4092

MMBF5103ON Semiconductor

  • MMBF5103ON Semiconductor
  • MMBF4092ON Semiconductor

В наличии: 26034

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    41.256374 ₽

    41.21 ₽

  • 10

    38.921071 ₽

    389.15 ₽

  • 100

    36.717981 ₽

    3,671.84 ₽

  • 500

    34.639615 ₽

    17,319.78 ₽

  • 1000

    32.678887 ₽

    32,678.85 ₽

Цена за единицу: 41.256374 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
42 Weeks
6 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2003
2000
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
50mA
Основной номер части
MBF5103
MBF4092
Конфигурация элемента
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
16pF @ 15V
16pF @ 20V
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
40V
Непрерывный ток стока (ID)
40mA
15mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
-40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JUNCTION
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
6 pF
5 pF
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
10mA @ 15V
15mA @ 20V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
1.2V @ 1nA
2V @ 1nA
Высота
1.04mm
930μm
Длина
2.9mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Сопротивление стока к истоку
-
50Ohm
Сопротивление - RDS(на)
-
50Ohm