MMBF5103 Альтернативные части: MMBF4393

MMBF5103ON Semiconductor

  • MMBF5103ON Semiconductor
  • MMBF4393ON Semiconductor

В наличии: 26034

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    41.256374 ₽

    41.21 ₽

  • 10

    38.921071 ₽

    389.15 ₽

  • 100

    36.717981 ₽

    3,671.84 ₽

  • 500

    34.639615 ₽

    17,319.78 ₽

  • 1000

    32.678887 ₽

    32,678.85 ₽

Цена за единицу: 41.256374 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
JFET N-CH 30V 350MW SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
42 Weeks
14 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2003
2000
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
30V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
30mA
Основной номер части
MBF5103
MBF4393
Конфигурация элемента
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
16pF @ 15V
14pF @ 20V
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
-
Непрерывный ток стока (ID)
40mA
30mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
-30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JUNCTION
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
6 pF
-
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
10mA @ 15V
5mA @ 20V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
1.2V @ 1nA
500mV @ 1nA
Высота
1.04mm
930μm
Длина
2.9mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Пороговая напряжённость / В
-
-30V
Сопротивление стока к истоку
-
100Ohm
Сопротивление - RDS(на)
-
100Ohm